這就要請教高手前輩了~Intel新CPU用的high-k技術,如果能用在後級Mosfet上....

DIY 電子電路技術相關討論專區。

版主: Jeff, Korping_Chang

這就要請教高手前輩了~Intel新CPU用的high-k技術,如果能用在後級Mosfet上....

文章9999 發表於 週六 11月 24, 2007 1:49 pm

Intel新CPU用的high-k技術,如果能用在後級Mosfet上....

不知道會怎樣呢?

甚至於使用45nm技術來做

(一個power mosfet = 一億個並聯)

但工作電壓應該會很低 :mad:

為什麼沒有廠商開發這種東西....說不定有著前所未見的神效....
9999
SR40
SR40
 
文章: 5
註冊時間: 週一 1月 24, 2005 12:54 pm

Re: 這就要請教高手前輩了~Intel新CPU用的high-k技術,如果能用在後級Mosfet上....

文章cklee 發表於 週六 11月 24, 2007 3:09 pm

9999 寫:Intel新CPU用的high-k技術,如果能用在後級Mosfet上....

不知道會怎樣呢?

甚至於使用45nm技術來做

(一個power mosfet = 一億個並聯)

但工作電壓應該會很低 :mad:

為什麼沒有廠商開發這種東西....說不定有著前所未見的神效....

在音響系統上,後級的工作電壓不可能降得很低, 因為它是類比放大器,只能盡可能將工作效率提高.

後級的瓦數是因應負載(喇叭)而去選擇. 負載固定時需要足夠大的音量的瓦數也固定, 也就是輸出電壓也是固定的. 而後級的工作電壓一般上又要比輸出電壓來得高(除了橋接或平衡式的機器).
所以要降低工作電壓, 可能不是那麼簡單. 又或是改變喇叭的工作特性才比較可能.
cklee
SR40
SR40
 
文章: 0
註冊時間: 週一 5月 09, 2005 8:08 pm

Re: 這就要請教高手前輩了~Intel新CPU用的high-k技術,如果能用在後級Mosfet上....

文章skyboat 發表於 週六 11月 24, 2007 3:15 pm

在古代已有一種稱為 RET (Ring-Emitter Transistor) 的大功率電晶體,電氣特性優,只是以前有評論說聽感上有些 "怪怪的" :roll: 。另外,一些昂貴的超級對裝電晶體,內部構造也是採用類似的多顆並聯方式。 ;)
頭像
skyboat
飛船老師
飛船老師
 
文章: 492
註冊時間: 週二 6月 18, 2002 6:01 pm
來自: 新北市彰化人

文章ABBAM 發表於 週日 11月 25, 2007 9:51 pm

RET (Ring-Emitter Transistor) 的大功率電晶體
有一個重大缺點,Vbe 非常不線性.....(日製)
區線非常差
ABBAM
SR40
SR40
 
文章: 0
註冊時間: 週二 4月 19, 2005 3:34 am

文章idle_newbie 發表於 週三 11月 28, 2007 7:24 pm

cpu 縮小製程線徑的要求
跟音響驅動電路不一樣吧 @@

CPU 追求的是 穩定 > 高效能 > 低能耗 > 低成本

音響用途的大部分是考慮工作點的線性關係, 以降低失真

真的要大又體積小的話,
目前已經有很多小型化並且超低導通阻抗 0.00x ohm 的 MOSFET
其大小就是 SOIC -8 的大小.....

有的可是有 數十A 的承受能力, 很多主機板上都可以看到

也有很多模型DIY玩家, 使用於電子變速器上面 動輒 30A 的電流負載
還沒有用到大型散熱片, 不可小看哪

不過因為線性的關係大概只能用於 CLASS-D 的線路
「生命沒有過渡、不能等待。」
頭像
idle_newbie
SR60
SR60
 
文章: 76
註冊時間: 週二 7月 16, 2002 11:32 am
來自: 台北的電腦堆

Re: 這就要請教高手前輩了~Intel新CPU用的high-k技術,如果能用在後級Mosfet上....

文章starrer 發表於 週三 11月 28, 2007 9:49 pm

9999 寫:Intel新CPU用的high-k技術,如果能用在後級Mosfet上....

不知道會怎樣呢?

甚至於使用45nm技術來做

(一個power mosfet = 一億個並聯)

但工作電壓應該會很低 :mad:

為什麼沒有廠商開發這種東西....說不定有著前所未見的神效....


工作電壓低,意味著要達到相同的功率,會消耗更多的電流,
是好是壞就看用途。

個人以為音頻放大電路在求一定幅度的輸出擺幅,
低電壓元件實在是不合適。

Intel的high-K技術其實為了搭配metal-gate而來的,
用SiO2的年代,有極為嚴重的gate leakage,
只是想解決這問題吧
starrer
SR40
SR40
 
文章: 41
註冊時間: 週日 3月 30, 2003 12:40 pm
來自: Taiwan

Re: 這就要請教高手前輩了~Intel新CPU用的high-k技術,如果能用在後級Mosfet上....

文章lifaung 發表於 週五 12月 21, 2007 4:31 am

9999 寫:Intel新CPU用的high-k技術,如果能用在後級Mosfet上....

不知道會怎樣呢?

甚至於使用45nm技術來做

(一個power mosfet = 一億個並聯)

但工作電壓應該會很低 :mad:

為什麼沒有廠商開發這種東西....說不定有著前所未見的神效....


45nm要用液浸對準曝光
而且正常的steper用的是五倍鏡,等於你的光罩原始線寬要225nm
225nm的光罩可能得用電子束來作會比較準,普通的便宜雷射可能不容易

假設你是最簡單的mosfet,給個假設是7道光罩
那你得有足夠的量可以開出來,承擔7道光罩的成本才行 :mad:
--
每道光罩要多少錢,自己去google一下就知道了
音響,很多人要求只要聽聲音不會王菲變成張菲就好 :lol:
lifaung
SR325
SR325
 
文章: 1637
註冊時間: 週日 1月 06, 2002 11:21 am
來自: ,,


回到 音響 DIY 電路技術討論

誰在線上

正在瀏覽這個版面的使用者:沒有註冊會員 和 70 位訪客