讓我為眾老手解開DB-01為何能克服電容困擾而高速的奧秘。
wensan兄對於slew rate過於執著在電容充放電的觀點,
卻忽視電路架構也能夠巧妙改變一些充放電容的計算方法。
1.您說米勒效應將C4電容22pF變成(Av+1)倍,如果是一般共射
(源)極電路這沒錯,可是wensan兄您沒看出這Q3、Q4、Q5、Q6
所構成的就是高頻寬的串疊式電路。
Q5、Q6等於是共基極放大,而Q3、Q4因為是共洩(集)極,是交流性接地,
所以Q3、Q4的Av=0,因此雖然有C4的 22pF,輸入電容
Ci=Cbc*(1+Av)+Cbe=Cbc+Cbe,也就是說JFET的
Ciss+Crss*(1+Av)=Ciss+Crss,只要Q3、Q4選得好,克服
電容高的迷津就很容易。
再說wensan兄一直對2mA CRD和Q25、Q26 PNP在上、NPN
在下很不順眼,一直希望我改掉這Diamond Buffer DB的精華,
我明示、暗示過幾次,wensan兄想錯方向了,事實上uuu兄也量
測到一個重要訊息,那就是Q25、Q26 Vbe放大訊號時幾乎不變。
也就是說Q25、Q26 無論輸出入是上半波還是下半波,它們是隨
時active狀態,所以Vbe幾乎不變,請問那Cbe為何要充電?
Q20、Q21也很像,是隨時處於active狀態,所以這就是為什麼
IC可以在幾個uA就推動得了輸出級,而且非常省電的原因,或者
一般DB current buffer極為高速的奧秘。
如果像Leach Low TIM Amp一樣,Q25、Q26 NPN在上、PNP
在下,那正半波時Q25導通 Cbe充電,Q26不導通 Cbe放電,
負半波時剛好相反,其電容隨訊號一直在充放電,速度便會被拖累。