版主: Jeff, Korping_Chang
wensan 寫:不知從何時開始,高速(高迴轉率)跟Low TIM似乎被劃上等號?其實應該是兩種不同的訴求才對!
mtlin12 寫:wensan 寫:不知從何時開始,高速(高迴轉率)跟Low TIM似乎被劃上等號?其實應該是兩種不同的訴求才對!
我想這與國內只有少數幾本音響設計的參考書有關,我常看日塚茂原著、曾煥燃譯的
"前-後級擴音機新設計"一書。書中第一章第三節幾乎就是把高速放大器與降低TIM
失真相提並論。
wensan 寫: 諧波失真(THD):完美的正弦波應該沒有諧波成分,因此一個正弦波濾掉基頻後,剩下的諧波成分便是「諧波失真(THD)」。
互調失真(IM):兩個不同頻率的正弦波加在一起,經過放大後,如果產生「拍差」頻率成分,及「拍差」頻率的諧波,便是「互調失真」。
瞬態互調失真(TIM):為了測試放大器步階暫態響應時的失真,把大振幅的低頻方波加上小振幅的高頻正弦波,經過放大器放大後,如果除了低頻方波的基頻及諧波,以及高頻正弦波的基頻外,還有其他的頻率成分,便是「瞬態互調失真」。
Kit 寫:wensan 寫: 諧波失真(THD):完美的正弦波應該沒有諧波成分,因此一個正弦波濾掉基頻後,剩下的諧波成分便是「諧波失真(THD)」。
這是放大倍率不只有一次項的影響對嗎?互調失真(IM):兩個不同頻率的正弦波加在一起,經過放大後,如果產生「拍差」頻率成分,及「拍差」頻率的諧波,便是「互調失真」。
感覺起來似乎也是因為放大倍率不只有一次項的影響,才會產生兩個頻率相乘的現象,還是還有其他的原因呢?瞬態互調失真(TIM):為了測試放大器步階暫態響應時的失真,把大振幅的低頻方波加上小振幅的高頻正弦波,經過放大器放大後,如果除了低頻方波的基頻及諧波,以及高頻正弦波的基頻外,還有其他的頻率成分,便是「瞬態互調失真」。
這個就實在是搞不懂了耶,能請前輩解釋一下為何會如此定義嗎?
wensan 寫:極性電晶體的差動電路,在射極沒有串接電阻的情況下,其輸入動態範圍我記得是26mV+26mV=52mV(二十年前的電子學課本早就不知道丟到哪裡去了,52mV這個值不曉得對不對?)。
mtlin12 寫:wensan 寫:雙極性電晶體的差動電路,在射極沒有串接電阻的情況下,其輸入動態範圍我記得是26mV+26mV=52mV(二十年前的電子學課本早就不知道丟到哪裡去了,52mV這個值不曉得對不對?)。
2*Vt=52mA是沒有錯,但指的應該是工作於線性區,而非動態範圍。當輸入電壓差大於
數百mV時,集極電流就和Vid無關,因為此時電流都只流經一個
電晶體了。(詳見全華 木宗正編著 類比積體電路 頁90)
同書頁91加串射極電阻則"線性範圍"可增加Iee*Re左右,但電壓增益也降低Iee*Re倍。
wensan兄原例=0.004A*300ohm=1.2V
不曉得有沒有人注意到,雙極性電晶體的特性曲線,Ib跟Ic大致上成正比。JFET的特性曲線,Vgs跟Id卻呈現平方律的關係。JFET的失真一定比BJT低嗎?mtlin12 寫:使用JFET為差動輸入時其線性範圍較BJT為寬,但是增益較低,
電流鏡對差動級同相輸入電晶體的輸出而言,等於增加了電流鏡輸出晶體的C-E、C-B極際電容。對差動級反相輸入電晶體的輸出而言,等於插入了一級共射極反相放大,必須考慮加入的這一級共射極反相放大的相位延遲對高頻穩定性的影響。mtlin12 寫:所以DB-01採用電流鏡當主動負載以提高增益。
mtlin12 寫:wensan 寫:極性電晶體的差動電路,在射極沒有串接電阻的情況下,其輸入動態範圍我記得是26mV+26mV=52mV(二十年前的電子學課本早就不知道丟到哪裡去了,52mV這個值不曉得對不對?)。
2*Vt=52mA是沒有錯,但指的應該是工作於線性區,而非動態範圍。當輸入電壓差大於
數百mV時,集極電流就和Vid無關,因為此時電流都只流經一個
電晶體了。(詳見全華 木宗正編著 類比積體電路 頁90)
同書頁91加串射極電阻則"線性範圍"可增加Iee*Re左右,但電壓增益也降低Iee*Re倍。
wensan兄原例=0.004A*300ohm=1.2V
使用JFET為差動輸入時其線性範圍較BJT為寬,但是增益較低,
所以DB-01採用電流鏡當主動負載以提高增益。
線性範圍較寬者例如真空管,因為在線性範圍內無需施加負回授
來修正可能有失真的波形,TIM的問題就小,因而音色不會
偏"硬"。但是一般石機雖然THD很低,主要卻是依賴負回授,訊
號又得重新回個幾級來做加加減減,TIM的問題就會嚴重起來。
石機例如PASS "Simple is the Best"的道理就是如此,
當然我設計DB-01時還是主張要加負回授以降低THD和雜音等等。
mtlin12 寫:" 木宗正編著 類比積體電路 同書頁91加串射極電阻則"線性範圍"可增加Iee*Re左右,但電壓增益也降低Iee*Re倍。"
wensan 寫:不曉得有沒有人注意到,雙極性電晶體的特性曲線,Ib跟Ic大致上成正比。JFET的特性曲線,Vgs跟Id卻呈現平方律的關係。JFET的失真一定比BJT低嗎?mtlin12 寫:使用JFET為差動輸入時其線性範圍較BJT為寬,但是增益較低,電流鏡對差動級同相輸入電晶體的輸出而言,等於增加了電流鏡輸出晶體的C-E、C-B極際電容。對差動級反相輸入電晶體的輸出而言,等於插入了一級共射極反相放大,必須考慮加入的這一級共射極反相放大的相位延遲對高頻穩定性的影響。mtlin12 寫:所以DB-01採用電流鏡當主動負載以提高增益。
天下沒有白吃的午餐?
uuu 寫:DB-01的Q14.Q15換算成Re是多少呢?
Q1換算成Rc是多少呢?
打開示波器和訊號慘聲器
勾子分別勾到Q1的E極C極
看看便知
DB-01初級
電壓增益有多少訊號輸出給次級用
ijaywu 寫:wensan 寫:不曉得有沒有人注意到,雙極性電晶體的特性曲線,Ib跟Ic大致上成正比。JFET的特性曲線,Vgs跟Id卻呈現平方律的關係。JFET的失真一定比BJT低嗎?mtlin12 寫:使用JFET為差動輸入時其線性範圍較BJT為寬,但是增益較低,電流鏡對差動級同相輸入電晶體的輸出而言,等於增加了電流鏡輸出晶體的C-E、C-B極際電容。對差動級反相輸入電晶體的輸出而言,等於插入了一級共射極反相放大,必須考慮加入的這一級共射極反相放大的相位延遲對高頻穩定性的影響。mtlin12 寫:所以DB-01採用電流鏡當主動負載以提高增益。
天下沒有白吃的午餐?
說到這個線性嘛…
wensan兄好像忘記在一開始的時候定義「線性」是什麼意思了。
wensan 寫:Q25、Q26為什麼要PNP放上面推NPN,NPN放下面推PNP呢?這樣的話,驅動Q20、Q21的最大電流不是變小了嗎?放大器的速度不是變慢了嗎?
mtlin12 寫:wensan 寫:Q25、Q26為什麼要PNP放上面推NPN,NPN放下面推PNP呢?
這樣的話,驅動Q20、Q21的最大電流不是變小了嗎?
放大器的速度不是變慢了嗎?
這個正是Diamond Buffer的特色,Head-Fi上 ppl有專題討論:
http://www4.head-fi.org/forums/showthread.php?s=fafc0027278c2ab3387d0ab12722fa95&threadid=48270
Q25、Q26其實與LC-KING的Q1、Q3共集極射極隨耦電路差不多,只不過電阻改為恆流源。
因此Q25、Q26及Q20、Q21都處於active狀態的工作區,而且驅動Q20、Q21的最大電流
就是CRD1、2的Idss (當Q25或是Q26 off時),
偏壓Bias=Q13vbe=0.6V ,因此靜態電流就是0.6V/20 Ohm=30mA。
DB鑽石緩衝器有高輸入阻抗低輸出阻抗的優點,而且SLEW RATE極佳,
這可參考類似架構的BUF634的datasheet,
DB-01輸出電流約200mA對耳擴而言已經不小了。
mtlin12 寫:DB-01要學LH0063的架構恐怕會"畫虎不成反類犬"。
DB架構的BUF634的SLEW RATE也有2000V/uS,只是當current buffer而已,電路和零件都很簡單,就用了。
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