AndAudio.com

請問,Hitachi的MOSFET 2SK1058 datasheet裡
Gate to source cutoff voltage VGS(off)這項
與IRFZ24A datasheet裡
VGS(th) Gate Threhold Voltage
同樣都是指Mosfet的導通電壓嗎?

http://www.jaycar.com.au/images_uploaded/2SK10568.PDF
又在此電路裡

R10,R12=2.21K;Rg=100R;Rs=10R;V+,V-=+-15V
Mosfet使用2SK1058/J162(VGS(off)=0.15~1.45)
當靜態電流為200mA時,K1058/J162的Gate間的電壓會是1.1~3.7V(VGS(off)X2+0.8 )嗎?

lis29570 寫:請問,Hitachi的MOSFET 2SK1058 datasheet裡
Gate to source cutoff voltage VGS(off)這項
與IRFZ24A datasheet裡
VGS(th) Gate Threhold Voltage
同樣都是指Mosfet的導通電壓嗎?

應該都是的

http://www.jaycar.com.au/images_uploaded/2SK10568.PDF
又在此電路裡

R10,R12=2.21K;Rg=100R;Rs=10R;V+,V-=+-15V
Mosfet使用2SK1058/J162(VGS(off)=0.15~1.45)
當靜態電流為200mA時,K1058/J162的Gate間的電壓會是1.1~3.7V(VGS(off)X2+0.8 )嗎?

不是
VGS(TH)是導通電壓 (以下以VT表示)
但VGS = VT時 IDS理論上是無線接近於0的 這部份有別於BJT算法 (BJT直流偏壓比較好解點)
這兩顆是飽合區 請至少套用 MOS 飽和區公式
ID = K*(VGS-VT)^2 來求出 VGS 再算出 GATE電壓
(K的話 如果DATASHEET沒有給 可自行用工作點反推估算)
或是也可以直接 解BJT的電壓

以上有錯請指教

http://gilmore2.chem.northwestern.edu/p ... es_prj.htm
做了以下修改,所以自己用Pad2Pad重新Layout洗板
改成單OP,MOSFET改用2SK1058/J162不穩壓直接從濾波電容拉出,而OP用LT317/337穩壓

因推W1000用的,所以只放大2倍....另一台M3設定11倍,VR轉一點點音量就大到受不了
OP是OPA602BP
當MOSFET偏流200mA時,K1058與J162的Gate與Gate間電壓是5.88V與5.97V
散熱片很燙....不過工作正常,沒直流也沒震盪